详细介绍
品牌 | 贝意克 |
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我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光均匀等效,这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍,并解决了物料不均匀堆积现象。
与传统CVD系统比较,生长温度更低。
使用滑轨炉实现快速升温和降温。
设备*的技术使得整管辉光均匀等效,均匀生长。
主要特点:
1.薄膜沉积速率高:射频辉光技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S;
2. 大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%;
3. 一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
4. 工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;
技术参数:
1、单温区加热系统:
最高温度 |
1200 |
使用温度 |
1100 |
炉膛有效尺寸 |
Φ60*1650mm |
炉膛材料 |
氧化铝、高温纤维制品 |
热电偶类型 |
K |
控温精度 |
1 |
控温方式 |
30段可编程控温,PID参数自整定, ‚操作界面为10"工控电脑,内置PLC控制程序, ƒ可将温控系统、滑轨炉滑动(时间和距离)设定为程序控制。 |
加热长度 |
440mm |
恒温长度 |
200mm |
加热原件 |
电阻丝 |
供电电源 |
220V |
额定功率 |
3KW |
2、PE射频电源:
该CVD系统可配备PE射频电源,将CVD系统升级为PECVD。当参与反应的气氛进入炉管在射频电源的作用下产生离子体,可使反应更加充分。同时等离子体起增强的作用,从而很大程度上优化实验的工艺条件。
信号频率 |
13.56 MHz±0.005% |
功率输出范围 |
500W |
射频输出接口 |
50Ω, N-type, female |
功率稳定度 |
±0.1% |
谐波分量 |
≤-50dbc |
供电电压 |
单相交流(187V-253V)频率50/60HZ |
整机效率 |
>=70% |
功率因素 |
>=90% |
冷却方式 |
强制风冷 |
3、五路质子流量控制系统:
供气系统是一种可控制4种气体按不同流量进行混合配比,也可根据实验需求加装洗气装置,质量流量计安装于密封的可移动机柜内,由超洁双抛不锈钢管与精密双卡套接头连接组成,触摸屏控制。
连接头类型 |
双卡套不锈钢接头 |
标准量程 |
氩气:1000sccm 氢气:300sccm 甲烷:100sccm 氮气:500sccm 氧气:100sccm |
准确度 |
±1.5% |
线性 |
±0.5~1.5% |
重复精度 |
±0.2% |
响应时间 |
气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec |
工作压差范围 |
0.1~0.5 MPa |
最大压力 |
3MPa |
接口 |
Φ6或者1/4''可选 |
显示 |
4位数字显示 |
工作环境温度 |
5~45高纯气体 |
压力真空表 |
-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
4、真空机组:
真空机组,内部安装双极旋片机械泵1台,电容真空计1套,并含有配套使用的波纹管,手动挡板阀,卡箍等连接部件。设备冷态极限真空可达0.5Pa。
工作电电压 |
220V |
功率 |
1 |
抽气速率 |
16m³/h |
极限真空 |
0.5Pa |
进气口口径 |
KF25 |
排气口口径 |
KF25 |
连接方式 |
采用波纹管,手动挡板阀与波纹管相连 |
电容真空计 |
ZDM-I( 5-5000pa 不需因测量气体种类不同而需要系数转换。具有较高的精确度和重复性,响应时间较短。 |
5、压力控制系统:
压力控制系统主要部件蝶阀、压力控制器、电容真空计组成。
压力控制系统的作用:根据实验要求,在出气端和泵之间增加蝶阀(调节阀)和真空计,真空计可检测管内压力,通过PLC调节蝶阀(调节阀)开启的大小,以达到控制管内压力不变。
压力可范围:100~100000Pa
控制精度:测量值±5%
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